Os transistores-de efeito de campo (FETs) são dispositivos controlados-por tensão, enquanto os transistores são dispositivos controlados-por corrente. Os FETs devem ser escolhidos quando apenas um pequeno consumo de corrente da fonte do sinal for permitido; inversamente, os transistores devem ser escolhidos quando a tensão do sinal é baixa, mas um consumo maior de corrente é permitido. Os FETs conduzem usando portadoras majoritárias, por isso são chamados de dispositivos unipolares, enquanto os transistores conduzem usando portadoras majoritárias e minoritárias, por isso são chamados de dispositivos bipolares.
Alguns FETs possuem terminais de fonte e dreno intercambiáveis, e sua tensão de porta pode ser positiva ou negativa, oferecendo maior flexibilidade que os transistores.
Os FETs podem operar sob condições de corrente e tensão muito baixas, e seus processos de fabricação permitem fácil integração de muitos FETs em um único chip de silício. Portanto, os FETs são amplamente usados em-circuitos integrados de grande escala.
